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·1871年俄国人门捷列夫根据元素周期律预言自然界存在一种原子量为72的化学元素,其性质和硅相似,称之为“类硅”。1886年德国人温克勒在分析硫银锗矿时发现和分离出这个元素。同时,用他祖国Germary命名。

·锗具有半导体性质。锗的禁带宽度(300K)0.67电子伏特,本征电阻率(27℃)47欧姆·厘米,电子迁移率3900±100厘米2/(伏·秒),空穴迁移率1900±50厘米2(伏·秒),电子扩散系数100厘米2/秒,空穴扩散系数48.7厘米2/秒。

·锗通常以分散状态存在于其他矿物,独立的矿物很少。70年代末世界上每年生产的锗约110吨(不包括废锗回收)。中国于1959年开始从含锗的氧化铅锌矿、闪锌矿和煤灰中回收锗,并进行工业生产。我国锗储量丰富,1993年锗的产量约15吨。

·锗的制取第一步是从重有色金属冶炼过程回收锗的富集物,然后再制备高纯锗单晶:首先将富集物用浓盐酸氯化,制取四氯化锗,再用盐酸溶剂萃取法除去主要的 杂质砷,然后经石英塔两次精馏提纯,再经高纯盐酸洗涤,可得高纯四氯化锗,用高纯水使四氯化锗水解,得高纯二氧化锗。一些杂质会进入水解母液,所以水解过 程也是提纯过程。纯二氧化锗经烘干煅烧,在还原炉的石英管内用氢气于650-680℃还原得到金属锗。还原终结时逐渐升温至1000-1100℃,使锗熔 化,将石墨舟从还原炉中缓缓拉出,控制温度,把杂质驱至尾端,这种方法称为定向结晶法。切去锗锭的尾端,其余部分的纯度大大提高。

·锗在电子工业中的用途,已逐渐被硅代替。但由于锗的电子和空穴迁移率较硅高,在高速开关电路方面,锗比硅的性能好。锗主要用于电子工业中,用来生产低功 率半导体二极管三极管,锗在红外器件,γ辐射探测器方面有着新的用途,金属锗能让2-15微米的红外线通过,又和玻璃一样易被抛光,能有效地抵制大气的腐 蚀,可用以制造红外窗口、三棱镜和红外光学透镜材料。锗还与铌形成化合物,用作超导材料。二氧化锗是聚合反应的催化剂。用氧化锗制造的玻璃有较高的折射率 和色散性能,可用于广角照像镜头和显微镜。锗还可用来制造药品。