热门搜索: 企业  专家  标准  专利  高校  科研院所
金属分类
在线办公
行业专家
王淀佐桂卫华戴永年
傅恒志陈立泉干勇
行业要闻
中国科大在铋超薄膜表面能谷和自旋电子态研究中取得进展
作者:匿名    来源: 来源网络    点击数:32    更新时间:2016-03-24 09:00:55    

近日,中国科学技术大学教授王兵研究组在铋(Bi)超薄膜表面能谷和自旋电子态研究中取得新进展,研究成果于3月11日发表在Nature Communications上,研究小组的博士生杜宏健和副教授孙霞为论文共同第一作者。

具有蜂巢状六方晶格的二维材料,在动量空间中其导带和价带边附近的能带通常存在简并的极值,即能谷态(valleys)。Bi(111)表面结构是类蜂巢状六方晶格,因而其表面电子态具有涡旋状自旋态的多能谷的能带结构。该研究团队利用低温(4.2K)强磁场(11T)扫描隧道显微镜(STM),获得不同磁场下Bi(111)超薄薄膜表面的朗道量子化微分电导谱,并利用类比于传统磁振荡实验的分析方法,精确地测量了量子化朗道能级,辨析出源于表面电子型和空穴型能谷电子态。同时,还观察到对应于能带结构中一组具有很大g因子(~33)的范霍夫奇点表面态由于在强磁场中出现分裂,从而可以获得自旋极化的能谷电子态。该项工作表明,Bi(111)超薄膜的这些性质使其有可能应用于构造自旋和能谷电子学器件。

  该研究工作得到了国家自然科学基金、中国科学院、科技部和教育部的资助。(据中科网)